Главная страница

Базы данных


Российский сводный каталог по научно-технической литературе - результаты поиска

Вид поиска
Российский сводный каталог по научно-технической литературе
Область поиска
в найденном
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: <.>R=53.41$<.>
Общее количество найденных документов : 16
Показаны документы с 1 по 10
 1-10    11-16 
1.

Amorphous semiconductors-science and technology: Proc. of the Fourteenth Intern. conf. on amorphous semiconductors-science and technology, Garmisch-Partenkirchen, FRG, Aug.19-23, 1991: Pt 1
Bauer G.H.;Ed. G.H.Bauer et al. - Amsterdam: North-Holland. - 1991. - LXXV, 638 c: ил. -(J. of noncrystalline solids;ISSN 0022-3093; Vol.137/138. Spec. iss). - На англ.яз. - Нидерланды. - Библиогр. в конце ст.- Указ.: с.LXXV-LXXV (в конце кн.)
ГРНТИ: 53.41.37; 29.19.31; 31.15.21
Перевод заглавия: Труды 14-ой международной конференции по изучению аморфных полупроводников и их технологии. Ч. 1
Ключевые слова: конференция

Держатели документа:
2.

Amorphous semiconductors-science and technology: Proc. of the Fourteenth Intern. conf. on amorphous semiconductors-science and technology, Garmisch-Partenkirchen, FRG, Aug.19-23, 1991: Pt 2
Bauer G.H.;Ed. G.H.Bauer et al. - Amsterdam: North-Holland. - 1991. - XXIV, 639-1393 c: ил. -(J. of noncrystalline solids;ISSN 0022-3093; Vol.137/138. Spec. iss). - На англ.яз. - Нидерланды. - Библиогр. в конце ст.- Указ.: с.1345-1393
ГРНТИ: 53.41.37; 29.19.31; 31.15.21
Перевод заглавия: Труды 14-ой международной конференции по изучению аморфных полупроводников и их технологии. Ч. 2
Ключевые слова: конференция

Держатели документа:
3.
Beneking H.
Herstellung und Untersuchung von Galliumarsenid-Einkristallen
Langmann U., Lenz P. - Opladen: Westdt.Verl. - 1974. - 86 c: ил. -(Forschungsber. des Landes Nordrhein-Westfalen; N 2382). - На нем.яз. - Германия. - Библиогр.:с.47-57. - ISBN 3-531-02382-9
ГРНТИ: 29.19.31; 53.41.37
УДК: 548.55
Перевод заглавия: Получение и исследование монокристалла арсенида - галлия
Ключевые слова: монокристалл

Держатели документа:
4.

Semiconductors and semimetals: Vol.72 : Silicon epitaxy -Б.м. - Б.г. - На рус.яз. - Российская Федерация
ГРНТИ: 53.41.31
УДК: 621.315.592.002:621.793.162
Перевод заглавия: Полупроводники и полуметаллы.Т. 72: Эпитаксия кремния.

Держатели документа:
5.

Papers from the 6th International workshop on fabrication, characterization, and modelling of ultra-shallow doping profiles in semiconductors. - Research Triangle Park: AVS:Amer.inst.of physics. - 2002. - A1-A15,2,493 c: ил. -(J. of Vacuum science a. technology.B;ISSN 1071-1023; Vol.20, N 1). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки. - Библиогр.в конце ст
ГРНТИ: 29.19.31; 47.09.29; 53.41.01
УДК: 621.315
Перевод заглавия: Доклады 6-го межд.семинара по изготовлению, характеризации и моделированию сверхмелких профилей распределения легирующих примесей в полупроводниках
Ключевые слова: сверхмелкие профили

Держатели документа:
6.

Nanosilicon
ed. by Kumar Vijay. - Amsterdam: Elsevier. - 2008. - XVI, 368 c.: ил. - На англ.яз. - Нидерланды. - На обл. в подзаг.: Kumar Vijay. - ISBN 978-0-08-044528-1
ГРНТИ: 53.41.31; 61.31.47; 47.09.63
УДК: 621.38-022.532-03; 546.28:544.16; 661.681-022.532

Держатели документа:
7.
Девятых Г.Г.
Высокочистые халькогены
Чурбанов М.Ф. - Н.Новгород: Изд-во Нижегор. гос. ун-та им. Н.И.Лобачевского. - 1997. - 243 с.: ил. - На рус.яз. - Российская Федерация. - ISBN 5-85746-110-3. - Тираж 500 экз.
ГРНТИ: 61.31.01; 53.41.33
УДК: 546.22/.24; 661.21; 661.69
Предметные рубрики: Халькогениды
Аннотация: Монография содержит систематизированную информацию о методах получения высокочистых халькогенов (серы, селена, теллура). Приведены данные о степени чистоты халькогенов, получаемых как через их летучие соединения, так и глубокой очисткой в форме простых веществ. Рассмотрены особенности и закономерности процессов очистки, связанные со способностью халькогенов к внутримолекулярной аллотропии, с загрязняющим действием материала аппаратуры. Описано получение высокочистых халькогенидных стекол и волоконных световодов на их основе.

Держатели документа:
8.

Advanced processing and characterization of semiconductors: Pap. of the 3 rd conf., 22-24 Jan. 1986, Los Angeles, Calif.
Ed. Devendra K. Sadana, Michael I. Current. - Bellingham (Wash.): SPIE-Intern. soc. for optical engineering. - 1986. - 6, 272 с: ил. -(Proceedings of SPIE-the International society for optical engineering). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки. - Библиогр. в конце ст.-Авт. указ.: с. 271-272 . - ISBN 0-89252-658-0
ГРНТИ: 53.41; 53.01.13
Перевод заглавия: Усовершенствованная технология получения полупроводниковых материалов:Труды 3-ей конференции, Лос-Анжелес, шт. Калифорния, 1986
Ключевые слова: полупроводниковые материалы; производство; конференция

Держатели документа:
9.
Wittam E.M.
Defects in detector grade silicon
Totterdell D.H.J. - London: H.M. stat. office. - 1988. - 3, 8 с: 5 ил. -(Rep./Great Britain. Atomic energy authority. Research group; R 13186). - На англ.яз. - Великобритания. - Библиогр.: с. 7. - ISBN 0-7058-1388-6
ГРНТИ: 53.41.31; 47.09.29
УДК: 539.1.074.5.002.3
Перевод заглавия: Дефекты в кремнии детекторного качества
Ключевые слова: дефекты; кремний; детектор; детекторное качество

Держатели документа:
10.

Metallization and metal-semiconductor interfaces: Proc. of a NATO Advanced research workshop on metallization a. metal-semiconductor interfaces, held Aug. 22-26, 1988, at the Techn. univ. of Munich, Garching, Federal Rep. of Germany
Ed. by Inder P. Batra. - New York; London: Plenum press. - 1989. - XI, 510 с.: ил. -(NATO ASI ser. Ser. B, Physics). - На англ.яз. - Соединенные Штаты Америки. - Указ.-Библиогр. в конце докл. - ISBN 0-306-43159-9
ГРНТИ: 53.41.39
Перевод заглавия: Металлизация и металл-полупроводниковые межфазные границы. Материалы конгресса Института НАТО. Мюнхен (ФРГ), 1988 г.

Держатели документа:
 1-10    11-16 
 
Описание базы данных
Стандартный
Расширенный
По словарю
ГРНТИ-навигатор
УДК-навигатор
Тематический навигатор
Статистика обращений
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)